Трансивер модуле (T/R) MMTR2931P53A

MMTR2931P53A 2,7 дән 3,1 ГГц га кадәр ешлыкта эшли, 200 Вт га кадәр чыгу куәте һәм 53 дБ тапшыру көчәйтүе белән. Киң полосалы TR белән чагыштырганда, тар полосалы TR югарырак көчәйтү һәм түбәнрәк шау күрсәткеченә ия, һәм радиоэлемтә һәм радар кебек кушымталарда яхшырак эшли. MMTR2931P53A безнең галлий нитриды (GaN) югары электрон мобильле транзисторы (HEMT) белән эшләнгән, ул югарырак җимерелү көчәнешенә, киңрәк полоса киңлегенә һәм югарырак нәтиҗәлелеккә ия. MMTR2931P53A дуплекслау функциясен тәэмин итүче циркулятор һәм кабул итүчене саклау өчен чикләүче белән җиһазландырылган. Моннан тыш, ул шулай ук ​​вакыт схемаларын үз эченә ала. MMTR2931P53A Mars RF-ның алдынгы галлий нитриды (GaN) технологиясен кулланып җитештерелә, ул югарырак куәт тыгызлыгына, нәтиҗәлелегенә, киңрәк полоса киңлегенә һәм нәтиҗәле җылылык белән идарә итүгә ия.

GaN тиз арада күп транзистор кушымталары өчен сайланган ярымүткәргеч материалга әйләнә. GaN югары электрон мобильлегенә ия, югарырак ешлыкларда зуррак көчәйтүне тәэмин итә һәм эквивалент LDMOS (латераль рәвештә таралган MOSFET) технологиясенә караганда югарырак нәтиҗәлелеккә ия. GaN транзисторларын куллану югары көчәйтү, түбән энергия куллану, югары үткәрүчәнлек һәм бик тиз күчү тизлеге кебек төп RF таләпләрен хуплый. Моннан тыш, GaN транзисторлары һава хәрәкәтен контрольдә тоту кебек күп санлы системаларга L, S, C, X һәм Ku диапазоннарын кулланырга мөмкинлек бирә. Галлий нитрид транзисторлары традицион транзисторларга караганда киңрәк температура диапазонына ия була һәм каты мохиттә яхшы эшли, бу аларны RF кушымталары өчен идеаль итә.