Амплифтори мушаххаси банд

Як қатор гуногуни тақвиятдиҳандаҳои тангбаст мавҷуданд, ки ҳар кадоми онҳо дорои қудрати беназири баромад мебошанд, ки аз 1 ватт то 2000 ватт таъсирбахшанд, ки ҳамаи онҳо қодиранд дар диапазони басомад то 46 ГГц кор кунанд. Ин тақвиятдиҳандаҳои тангбаст аз ҷиҳати тарҳрезӣ на танҳо аз ҷиҳати энергия хеле самаранок мебошанд, балки сатҳи кори устувор ва боэътимодро низ таъмин мекунанд. Ин тақвиятдиҳандаҳо натиҷаи технологияҳои нимноқилҳои пешрафтаи нитриди галлий (GaN) ва галлий арсенид (GaAs) мебошанд, ки ҳангоми ҳамгироӣ бо схемаҳои мураккаби интегралии микроволновкаи гибридӣ, бо қобилиятҳои истисноии амалиётии худ ба авҷи худ мерасанд. Хусусиятҳои барҷастаи онҳо онҳоро барои доираи васеи барномаҳо, аз ҷумла таҷҳизоти дақиқи соҳаи тиб, амалиёти стратегии системаҳои печидагӣ, талаботи дақиқи симулятсияи радар ва як қатор соҳаҳои дигари махсус, ки тақвияти боэътимоди RF муҳим аст, мувофиқ мегардонанд. Ин тақвиятдиҳандаҳои тангбаст дар бисёр соҳаҳо хеле маъмуланд.