In kasta oo qalabka cod-weyneeyaha RF ee xaaladda adag uu si fiican ugu shaqayn karo xadka soo noqnoqda ee SHF, haddana danabka ugu yar ee shaqeynaya wuxuu u baahan yahay oo keliya inuu buuxiyo 26 volts, kaas oo ka hooseeya 32 Volts, danabka caadiga ahna waa qiyaastii 28 volts. Qalabka cod-weyneeyaha 8-12G ee ballaaran wuxuu ku habboon yahay X-band wuxuuna leeyahay waxqabad aad u wanaagsan oo ku saabsan meelaha sida radar iyo isgaarsiinta dayax-gacmeedka iwm.

Transistors-ka GaN, kuwaas oo la xaqiijiyay inay yihiin kuwo la isku halleyn karo, hufan, iyo wax ku ool ah, ayaa loo isticmaalaa fasalkan amplifier, GaN-na si dhakhso ah ayuu u noqonayaa agabka semiconductor-ka ee la door bidayo codsiyada badan ee transistor-ka. GaN waxay leedahay dhaqdhaqaaq elektaroonik ah oo sare, waxay taageertaa faa'iido weyn oo ku timaadda mawjadaha sare, waxayna leedahay hufnaan sare marka la barbar dhigo tignoolajiyada LDMOS (MOSFET ee laterally diffused). Faa'iidooyinka transistors-ka GaN waxa kale oo ka mid ah cufnaanta awoodda sare, danab jab oo sarreeya, hufnaan kuleyl oo sarreeya, iyo shuruudaha awoodda oo hooseeya. Faa'iidooyinkani waxay horseedi karaan hufnaan sare (xitaa mawjadaha sare), arrimo qaab yar, qiimeyn guud oo hoose oo nidaamka ah, kalsooni sare, iyo waxqabad heer sare ah. GaN sidoo kale waxay leedahay tamar firfircooni sare, taasoo keenta waxqabad kuleyl oo aad u fiican iyo danab jab oo aad u sarreeya. Transistors-ka GaN waxay la tacaali karaan heerkul ka ballaaran transistor-yada caadiga ah waxayna si fiican uga shaqeeyaan jawi adag, taasoo ka dhigaysa kuwo ku habboon codsiyada RF. Naqshadaynta hufnaanta amplifier-ka awoodda ab waxaa lagu sawiray kuleylka godkuna wuxuu ka samaysan yahay aluminium, kaas oo ka waara oo ka adag agabka kale. Dhammaan dejinta qalabkan aadka u fiican waxay keenaan amp awood oo adag oo soo saara hufnaan wanaagsan, oo leh hufnaan caadi ah oo ah 11%.