Module-ka cod-weyneeyaha RF MM80120P47C waa badeeco microwave-ka RF ah oo badan-octave ah. Waxay leedahay kala duwanaansho calaamad RF oo ballaaran, waxay ka shaqeysaa 8000 MHz ilaa 12000 MHz, waxayna leedahay awood caadi ah oo dhereg ah oo ah 50 Watts. Cod-weyneeyaha awoodda sare leh wuxuu leeyahay qiime korodh ah oo ah 47dB iyo fiditaankiisu waa mid deggan oo ah ± 1dB. Xogta tijaabada ee aadka u fiican waxay ka tarjumaysaa awoodda gudbinta calaamadda deggan ee cod-weyneeyaha RF ee ballaaran, taas oo yaraynaysa dadaalka isticmaalaha ee ku aaddan fulinta nidaamka oo dhan.

Badeecada MM80120P47C ee Mars RF waxaa lagu dabaqi karaa X-band, kaas oo inta badan loo isticmaalo isgaarsiinta radar iyo dayax-gacmeedka. Marka la eego kooxda UHF, marka la adeegsanayo nidaamka radar-ka, qalabkan weyn ee weyn ee weyn wuxuu leeyahay faa'iidooyinka qaab-dhismeedka is haysta, miisaan fudud, waxqabad sare, is-dhexgalka nidaamka sare, waxqabadka RF ee aadka u fiican iyo isticmaalka awoodda oo hooseeya. Intaa waxaa dheer, module-kayaga awoodda RF waa mid aad u dabacsan oo la habeyn karo si loo daboolo baahiyaha warshadaha iyo codsiyada kala duwan, isagoo siinaya isticmaalayaasha xalal lagu kalsoonaan karo.

Danabka shaqada caadiga ah ee qalabkan kor u qaada awoodda sare waa 28V, korontada soo saarta waa 8 Amp DC oo ah 40 W. Noocyada isku xidhka gelinta iyo soo saarista waa SMA-da caadiga ah, Dheddig. Qalabkan kor u qaada SSPA wuxuu adeegsadaa transistors-ka Gallium Nitride oo leh godad aluminium ah oo gudaha ah, kuwaas oo bixin kara dammaanad xooggan oo ku saabsan waxqabadka iyo xasilloonida badeecada.

Guud ahaan, saamiga danabka VSWP ee qalabka kor u qaada ee Mars RF waa 3, alaabtayaduna waxay leeyihiin shaqo ilaalin VSWP ah. Marka la ogaado VSWR ee wax soo saarka calaamadda ee qalabka kor u qaada, marka VSWR-ka wax soo saarku ka bato heerka la dejiyay, waxay si toos ah u jari doontaa calaamadda xakamaynta qalabka kor u qaada si looga ilaaliyo qalabka kor u qaada waxyeelada uu keeno VSW, taasoo yarayn karta khatarta dhaawaca nidaamka.

√ Broadband & Awood Sare

√ Hufnaan Sare

√ Cabbir yar iyo Miisaan Fudud

√ Kala-goyn Hoose

√ Saxanka kulaylka dibadda ee ikhtiyaariga ah

√ Xakameyn ku dhex jirta, wareegyada ilaalinta

√ Gudbinta calaamadaha oo degdeg ah, xasillooni wanaagsan

Waa maxay faa'iidooyinka iyo kala duwanaanshaha codsiga ee u dhexeeya transistor-yada GaN iyo transistor-yada LDMOS?

Iyada oo ay weheliso horumarinta tignoolajiyada isgaarsiinta moobaylka ee 4G iyo 5G, GaN waxaa lagu dhiirrigeliyay saldhigyada isgaarsiinta iyadoo ay ugu wacan tahay waxqabadkeeda wanaagsan ee xaaladaha codsiyada soo noqnoqda sare. Si kastaba ha ahaatee, xaaladaha codsiyada soo noqnoqda hoose iyo kuwa dhexdhexaadka ah, LDMOS wali waa doorashada ugu weyn sababtoo ah faa'iidooyinkeeda qiimaha jaban, isku-dhafka sare, iyo DPD (Digital Pre-Distrotion) oo saaxiibtinimo badan leh.

Iyada oo ku saleysan faa'iidooyinkooda, meelaha ugu muhiimsan ee isticmaalka LDMOS iyo GaN way kala duwan yihiin, GaN waxaa inta badan lagu ururiyaa xaaladaha awoodda sare ee soo noqnoqda, halka LDMOS ay inta badan ku urursan tahay xaaladaha soo noqnoqda ee hooseeya iyo kuwa dhexdhexaadka ah, iyo sidoo kale xaaladaha awoodda hoose ee soo noqnoqda ee soo noqnoqda qaarkood waxay leeyihiin codsiyo. Si kastaba ha ahaatee, doorashada u dhaxaysa LDMOS iyo GaN ma aha mid go'an oo badanaa way isbeddeshaa iyadoo loo eegayo istaraatiijiyadda soo saaraha.