Leave Your Message

Podsystem wzmacniacza szerokopasmowego dużej mocy RF MS1060P47A

Numer modelu: MS1060P47A

Podsystem wzmacniacza szerokopasmowego RF dużej mocy MS1060P47A to urządzenie montowane w szafie rack, wyposażone w uniwersalny zasilacz i wbudowany system chłodzenia wymuszonego. Ten podsystem wzmacniacza szerokopasmowego RF dużej mocy wykorzystuje technologię azotku galu, która zapewnia doskonałą gęstość mocy, wysoką sprawność, niskie zniekształcenia i szeroki zakres dynamiki. Dzięki solidnej konstrukcji i zastosowaniu zaawansowanych sieci dopasowania szerokopasmowego RF, łączących techniki i wysokiej jakości komponenty, wzmacniacz klasy B osiąga stabilną wydajność i niezawodność sprawdzoną w praktyce.

  • Start 1000 MHz
  • Zatrzymywać się 6000 MHz
  • Dąsy 50 watów
  • Osiągać 47 dB
  • Woltaż 220V
  • Tryb CW/AM/FM
  • Rozmiar 482,6 x 177 x 445 mm

Wprowadzenie produktu

Podsystem wzmacniacza mocy RF MS1060P47A firmy Mars, oparty na półprzewodnikach, charakteryzuje się zakresem częstotliwości 1-6 GHz. Może być stosowany w pasmach 1-2 GHz, 5-6 GHz, 4-6 GHz i innych, a także w pasmach VHF i SHF. Podsystem wzmacniacza dużej mocy MS1060P47A nadaje się do pasma L i może być szeroko stosowany do transmisji na duże odległości w komunikacji bezprzewodowej, takiej jak nadawanie FM, nadawanie telewizyjne, komunikacja lotnicza, komunikacja komórkowa, telefonia bezprzewodowa, komunikacja troposferyczna, komunikacja mikrofalowa średniej pojemności oraz satelity do zdalnego wykrywania; nadaje się również do pasm S i C. Główny zakres zastosowań koncentruje się na systemach radarowych, takich jak nawigacja, prognoza pogody, bezprzewodowe sieci LAN itp. Konstrukcja tłumienności odbiciowej wejścia tego podsystemu wzmacniacza klasy B gwarantuje typową wartość -10 dB. W celu uzyskania dokładniejszych danych dotyczących tłumienności odbiciowej prosimy o kontakt z naszym zespołem. (Im wyższa wartość echa wejściowego, tym mniejsze odbicie sygnału wejściowego, interferencje odbite źródła sygnału i źródła wzbudzenia, co przekłada się na lepszą wydajność). Komora wzmacniacza mocy MS1060P47A wykonana jest z lekkiego aluminium, które charakteryzuje się doskonałym stosunkiem wytrzymałości do masy, odpornością na rdzę, korozją i wysokim współczynnikiem odbicia, dzięki czemu jest trwalsze i bardziej wytrzymałe niż inne materiały. Podczas projektowania wzmacniacza mocy o mocy 50 W przeprowadzana jest symulacja termiczna w celu doboru odpowiedniego materiału, a następnie potwierdzenia optymalnego rozmiaru produktu. Metody obróbki powierzchni wzmacniacza lampowego można wybrać spośród następujących: utlenianie przewodzące w kolorze naturalnym, niklowanie, utlenianie przewodzące w kolorze, anodowanie.

Główne cechy

√ Natychmiastowy ultraszerokopasmowy
√ Nadaje się do modulacji CW, AM i FM
√ Kompaktowa i solidna konstrukcja
√ Bezwarunkowa stabilność i wytrzymałość

Często zadawane pytania

Jakie są zalety stosowania lamp GaN w produktach wzmacniaczy mocy?
Lampy GaN (azotku galu) stosowane we wzmacniaczach mocy oferują szereg zalet:
1. Większa wydajność: Rury GaN charakteryzują się mniejszymi stratami przewodzenia i przełączania, co przekłada się na wyższą wydajność i mniejsze wytwarzanie ciepła.
2. Szeroka przepustowość: Lampy GaN charakteryzują się szeroką przepustowością roboczą, dzięki czemu nadają się do zastosowań wymagających wysokiej częstotliwości, takich jak radary, telekomunikacja i systemy elektroniczne.
3. Lepsze parametry cieplne: Rury GaN charakteryzują się lepszym przewodnictwem cieplnym, dzięki czemu skuteczniej odprowadzają ciepło, co przekłada się na większą niezawodność i dłuższą żywotność.
4. Większa liniowość: lampy GaN zapewniają lepszą liniowość przy wysokich częstotliwościach, co przekłada się na lepszą wierność sygnału i ogólną wydajność.
5. Zwiększona niezawodność: technologia GaN zapewnia zwiększoną wytrzymałość i niezawodność, dzięki czemu nadaje się do wymagających środowisk i dłuższego okresu eksploatacji.
Ogólnie rzecz biorąc, GaN okazał się niezawodny, wydajny i skuteczny, oferując wiele zalet, których nie sposób w pełni wymienić. Zastosowanie GaN we wzmacniaczu mocy RF Mars może znacznie zwiększyć bezpieczeństwo, niezawodność i praktyczność półprzewodnikowych wzmacniaczy RF.

Leave Your Message