Na dia afaka miasa tsara ao amin'ny tarika matetika SHF aza ireo amplifier RF solid state, ny voltase miasa farany ambany indrindra dia mila mahatratra 26 volts fotsiny, izay latsaky ny 32 Volts, ary ny voltase mahazatra dia manodidina ny 28 volts. Ny amplifier herinaratra broadband 8-12G dia mety amin'ny tarika X ary manana fahombiazana tsara amin'ny sehatra toy ny fifandraisana radar sy zanabolana sy ny sisa.

Ny transistors GaN, izay voaporofo fa azo ianteherana, mahomby ary mandaitra, dia ampiasaina amin'ity amplifier kilasy A ity, ary ny GaN dia lasa fitaovana semiconductor safidy haingana ho an'ny fampiharana transistor maro. Ny GaN dia manana fivezivezen'ny elektrôna avo lenta, manohana ny tombony lehibe kokoa amin'ny matetika ambony kokoa, ary manana fahombiazana ambony kokoa raha oharina amin'ny teknolojia LDMOS (laterally diffused MOSFET) mitovy. Ny tombony azo amin'ny transistors GaN dia ahitana ihany koa ny hakitroky ny herinaratra ambony kokoa, ny voltase breakdown ambony kokoa, ny conductivity thermal ambony kokoa, ary ny filàna herinaratra ambany kokoa. Ireo tombony ireo dia mety hitarika fahombiazana ambony kokoa (na dia amin'ny matetika ambony kokoa aza), ny endrika kely kokoa, ny naoty rafitra ambany kokoa, ny fahatokisana ambony kokoa, ary ny fampisehoana tsara indrindra amin'ny kilasy. Ny GaN koa dia manana angovo fampahavitrihana avo lenta, ka miteraka fampisehoana thermal tsara dia tsara sy voltase breakdown ambony kokoa. Ny transistors GaN dia afaka miatrika mari-pana midadasika kokoa noho ny transistors mahazatra ary miasa tsara amin'ny tontolo henjana, ka mahatonga azy ireo ho tsara indrindra amin'ny fampiharana RF. Ny famolavolana fahombiazan'ny amplifier power kilasy ab dia nohavaozina ara-thermal ary ny lavaka dia vita amin'ny aluminium, izay maharitra sy matanjaka kokoa noho ny fitaovana hafa. Ireo fametrahana fitaovana tsara rehetra ireo dia miteraka amplifier power state solid izay mamokatra fahombiazana tsara kokoa, miaraka amin'ny fahombiazana mahazatra 11%.