RF кең тилкелүү күчөткүч MM0527P47A

Mars RF тарабынан катуу сыноодон өткөндөн кийин, бул 50 ватттык RF кең тилкелүү күчөткүч MM0527P47A -40°C төмөн температурада жана 60°Cден төмөн температурада кадимкидей иштей алат. Сактоо температурасын -45°C жана 85°C ортосунда кармоо көйгөй жаратпайт, анткени маалымат сөлөкөтүнүн толук маалыматын маалымат баракчасынан тапса болот. Бул RF кең тилкелүү күчөткүч 47дБ күчөтүүгө жетише алат, ал 50 ватт туруктуу чыгуу кубаттуулугуна жете алат. Салыштырмалуу түрдө, бул RF кең тилкелүү күчөткүчүнүн адашкан жана гармоникалык маанилери да абдан мыкты, адашкан маанилери -70 дБк жана гармоникалары -12 дБк чейин. Бул RF кең тилкелүү күчөткүч салыштырмалуу туруктуу күчөтүү ийри сызыгын камсыз кылуу үчүн галлий нитрид түтүктөрүн колдонот, ошондуктан RF кең тилкелүү күчөткүчүнүн киргизүү/чыгуу импедансынын мааниси 50 Ω типтүү мааниде туруктуу болушу мүмкүн, ал эми киргизүү кайтаруу жоготуусу -10 дБ типтүү мааниде туруктуу болушу мүмкүн. Радиожыштык кең тилкелүү күчөткүчтөр аймактарында бул продуктунун натыйжалуулугу абдан таасирдүү, 29% дан ашык жогорку натыйжалуулукка ээ, бул системанын үзгүлтүксүз иштешин өтө аз жоготуулар менен максималдуу түрдө жогорулатат, бул сиздин электр системаңызды туруктуураак жана жогорку натыйжалуу кылат.

√ Кең тилкелүү жана жогорку кубаттуулуктагы интернет

√ Жогорку натыйжалуулук

√ Улуу сызыктуулук

√ Кичинекей жана жеңил салмак

√ Төмөн бурмалоо

RF кең тилкелүү күчөткүчтөрүндө GaN транзисторлорун колдонуунун кандай артыкчылыктары бар?

Акыркы жылдары GaN лампалары RF кең тилкелүү күчөткүчтөрүнүн кеңири колдонулушуна ээ жана LDMOS жана GaN'дардан тышкары эң көп колдонулган лампа материалы болуп саналат. Ал жогорку кубаттуулук тыгыздыгы, жогорку натыйжалуулук, кең өткөрүү жөндөмдүүлүгү, жогорку бузулуу чыңалуусу жана тез которулуу ылдамдыгы сыяктуу мүнөздөмөлөргө ээ. Толук маалымат төмөнкүдөй:

1. Жогорку кубаттуулук тыгыздыгы: GaN транзисторлору LDMOS же GaAs сыяктуу салттуу технологияларга салыштырмалуу кичирээк өлчөмдө жогорку кубаттуулук деңгээлине жетише алат. жыштыктан туруктуу токко конвертерде Бул жогорку кубаттуулук тыгыздыгы мейкиндик жана салмак маанилүү факторлор болгон колдонмолордо пайдалуу.

2. Жогорку эффективдүүлүк: GaN транзисторлору кремний же GaAs сыяктуу башка жарым өткөргүч материалдарга салыштырмалуу жогорку эффективдүүлүктү көрсөтөт. Бул энергияны аз сарптоого жана жылуулуктун азайышына алып келет, бул катуу абалдагы кубаттуулук күчөткүчтөрүндөгү жалпы системанын эффективдүүлүгүнө салым кошот.

3. Кең өткөрүү жөндөмдүүлүгү: GaN транзисторлору башка технологияларга салыштырмалуу кеңири жыштык өткөрүү жөндөмдүүлүгүнө ээ, бул аларды кубаттуулук күчөткүчүнүн иштөө колдонмолору үчүн ылайыктуу кылат. Бул иштөөсүнө доо кетирбестен, кеңири жыштык диапазонунда иштей алган кубаттуулук күчөткүчтөрдү иштеп чыгууга мүмкүндүк берет.

4. Тез которулуу ылдамдыгы: GaN транзисторлору тез которулуу ылдамдыгына ээ, бул тез күйгүзүү/өчүрүү убактысын же модуляцияны талап кылган колдонмолордо пайдалуу. Бул касиет GaN транзисторлорун жогорку жыштыктагы интеграцияланган кубаттуулук күчөткүчүнүн иштешине ылайыктуу кылат.