O modelo MPM90100P50A é un amplificador pulsado de alta potencia en banda X que funciona no rango de frecuencias de 9 a 10 GHz e ofrece unha anchura de pulso de ata 100 μs cun ciclo de traballo de ata o 15 %. Os amplificadores pulsados ​​de alta potencia proporcionan unha potencia de saída máxima de máis de 100 vatios nunha carga de 50 ohmios. O emprego de nitruro de galio (GaN) e tecnoloxía de chip e cable na fabricación garante a este módulo un rendemento de potencia de vangarda cunha excelente relación potencia-volume. Os GaN teñen unha alta mobilidade de electróns e admiten unha maior ganancia a frecuencias máis altas. O GaN tamén ten unha alta enerxía de activación, o que resulta en excelentes propiedades térmicas e tensións de ruptura significativamente máis altas. As vantaxes dos transistores de nitruro de galio tamén inclúen unha maior densidade de potencia, unha maior tensión de ruptura, unha maior condutividade térmica e uns requisitos de potencia máis baixos. Estes beneficios poden levar a que estes amplificadores pulsados ​​de alta potencia teñan unha maior eficiencia (mesmo a frecuencias máis altas), factores de forma máis pequenos, calidades de sistema xerais máis baixas, maior fiabilidade e o mellor rendemento da súa clase.

Ademais, estes amplificadores de pulsos de alta potencia requiren disipación de calor a temperaturas de funcionamento de 85 graos Celsius e reinician a 60 graos Celsius en lugar de apagarse. Mars RF ten equipos de refrixeración que os clientes poden mercar xuntos con amplificadores de pulsos de alta potencia. Os nosos equipos de refrixeración de alta calidade permiten que os amplificadores de potencia manteñan un alto rendemento en todas as condicións, reducindo a frecuencia e o custo do mantemento do sistema. É ideal para aplicacións de amplificadores de pulsos de alta potencia para módulos de radar, comunicación por satélite e outros campos.

Os amplificadores de potencia pulsada de alta potencia de Mars RF están dispoñibles para aplicacións de radar con frecuencias que van dende HF ata a banda Ku e potencias de saída dende varios vatios ata quilovatios. Estes SSPA están deseñados con dispositivos de potencia de última xeración que proporcionan un excelente rendemento en termos de alta eficiencia, alta fiabilidade, boa linealidade, peso máis lixeiro e tamaño máis pequeno.

√ Tamaño pequeno e peso lixeiro

√ Eficiencia de potencia engadida >10%

√ Protección contra sobretemperatura

√ Portos de acoplamento de potencia directa e reflectida

√ Deseño compacto con tamaño máximo de 200 × 125 × 25 mm

√ Peso lixeiro cun máximo de 3,0 kg

√ Protección de ancho de pulso/ciclo de traballo

√ Protección contra sobretensión e sobrecorrente

1. Canta potencia de entrada necesita o amplificador?

Consulta a folla de especificacións do amplificador en cuestión. Se tes máis preguntas, ponte en contacto connosco.

2. Cal é a función dos transistores empregados nos amplificadores de potencia?

Un amplificador de potencia de RF é un conversor de enerxía, polo que pode amplificar o sinal porque pode converter a enerxía subministrada pola fonte de alimentación de CC na potencia do sinal de saída. E o compoñente central para completar esta función é o transistor. Polo tanto, a selección de transistores para o deseño do rendemento do amplificador de potencia de RF é crucial.