Module émetteur-récepteur (T/R) MMTR2931P53A

Le MMTR2931P53A fonctionne entre 2,7 et 3,1 GHz, avec une puissance de sortie maximale de 200 W et un gain de transmission de 53 dB. Comparé aux convertisseurs TR à large bande, le convertisseur TR à bande étroite offre un gain plus élevé et un facteur de bruit plus faible, et est plus performant dans des applications telles que les radiocommunications et les radars. Le MMTR2931P53A est conçu avec notre transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) au nitrure de gallium (GaN), qui présente une tension de claquage plus élevée, une bande passante plus large et un rendement supérieur. Il est équipé d'un circulateur assurant la fonction duplexage et d'un limiteur pour la protection du récepteur. De plus, il intègre des circuits de temporisation. Le MMTR2931P53A est fabriqué à l'aide de la technologie avancée au nitrure de gallium (GaN) de Mars RF, qui offre une densité de puissance, un rendement et une bande passante plus larges, ainsi qu'une gestion thermique efficace.

Le GaN s'impose rapidement comme le matériau semi-conducteur de prédilection pour de nombreuses applications de transistors. Il présente une mobilité électronique élevée, un gain supérieur aux hautes fréquences et un rendement plus élevé que la technologie LDMOS (MOSFET à diffusion latérale) équivalente. L'utilisation de transistors GaN répond aux exigences RF essentielles telles qu'un gain élevé, une faible consommation d'énergie, un débit élevé et des vitesses de commutation extrêmement rapides. De plus, les transistors GaN permettent à de nombreux systèmes, comme le contrôle du trafic aérien, de couvrir les bandes L, S, C, X et Ku. Les transistors au nitrure de gallium supportent une plage de températures plus étendue que les transistors traditionnels et fonctionnent efficacement dans des environnements difficiles, ce qui les rend idéaux pour les applications RF.