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Amplificateur RF Mars.png

Amplificateur RF ultra-large bande haute puissance au nitrure de gallium MM60180P40B

Numéro de modèle : MM60180P40B

Avec une fréquence de fonctionnement minimale de 6 000 MHz et une fréquence maximale de 18 000 MHz, l’amplificateur RF ultra-large bande haute puissance au nitrure de gallium (GaN) est parfaitement adapté aux applications en bandes C, X et Ku. Sa puissance de sortie à saturation est généralement de 10 watts, avec un gain de 40 dB.

  • Commencer 6000 MHz
  • Arrêt 18000 MHz
  • Moue 10 watts
  • Gagner 40 dB
  • Tension 28 V
  • Actuel 3 ampères
  • Mode CW
  • Taille 150 x 90 x 25 mm
  • Action 16
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détails du produit

Présentation du produit

Pour les applications en bandes C, X et Ku, l'amplificateur RF ultra-large bande haute puissance au nitrure de gallium (GaN) est parfaitement adapté, avec une fréquence de fonctionnement minimale de 6 000 MHz et une fréquence maximale de 18 000 MHz. À saturation, il présente généralement un gain de 40 dB et une puissance de sortie de 10 watts. À une puissance de sortie de 5 watts, les harmoniques de cet amplificateur GaN peuvent atteindre -20 dBc. Concrètement, cette spécification indique la capacité de l'amplificateur à supprimer la génération de signaux harmoniques indésirables, garantissant ainsi un signal de sortie principalement composé de la fréquence fondamentale souhaitée, avec un minimum d'interférences dues aux composantes harmoniques. L'impédance d'entrée/sortie de cet amplificateur large bande est de 50 ohms.
Mars RF a mis en place son propre système de contrôle qualité et un processus de production complet afin de garantir la performance et la durée de vie optimales de ses produits. C'est pourquoi nous offrons une garantie de trois ans, assortie d'une période de garantie gratuite de 18 mois. Durant cette période, tout problème après-vente lié à un défaut de fabrication sera traité gratuitement.

Paramètres

Fréquence de démarrage 2000 MHz
Fréquence d'arrêt 6000 MHz
Harmoniques à 5 W -20 dBc
Courant continu à 10 W 3 ampères
Poids 0,8 kg
ROS 3:1
Entrée et sortie du connecteur RF -55 dBc

Caractéristiques principales

√ Très haut débit
√ Classe AB
√ Amplificateur GaN
√ Commande intégrée
√ Bande C/X/Ku
Conception d'amplificateur de puissance RF
√ Léger

FAQ

1. Quels sont les avantages du dispositif GaN dans l'amplificateur de puissance ?
L'utilisation de dispositifs GaN (nitrure de gallium) dans les amplificateurs de puissance offre plusieurs avantages :
Densité de puissance élevée : comparés aux technologies plus classiques comme les dispositifs à base de silicium, les dispositifs GaN offrent une densité de puissance supérieure. De ce fait, ils peuvent fournir une puissance plus importante dans un format plus compact, ce qui les rend idéaux pour les applications compactes et hautes performances.
Haute efficacité : comparés à d'autres technologies de semi-conducteurs, les dispositifs GaN présentent généralement de meilleures valeurs d'efficacité.

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