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Amplificateurs de puissance à impulsions RF haute puissance MPM2731P60A
Présentation du produit
Cet amplificateur de puissance pulsé RF est capable d'amplifier des signaux jusqu'à 1000 W de puissance de sortie saturée typique sur toute sa plage de fréquences de fonctionnement de 2700 MHz à 3100 MHz. L'utilisation de composants de puissance pulsée de pointe garantit à ce module des performances exceptionnelles, une fiabilité à long terme et un rendement élevé. Cet amplificateur est adapté aux applications pulsées RF, MF, HF et VHF de forte puissance. L'amplificateur de puissance pulsé de Mars RF se caractérise par un gain élevé, une large bande passante, une faible distorsion, une grande stabilité et un temps de réponse rapide. Il est principalement utilisé dans le domaine des radars. Le transistor métallique à l'arséniure de gallium (GaAs) utilisé dans cet amplificateur est un matériau qui présente des caractéristiques de haute fréquence, de mobilité électronique élevée, de puissance de sortie élevée, de linéarité élevée et de faible bruit. Il trouve ainsi de nombreuses applications dans les domaines de l'optoélectronique et des radiofréquences. Les amplificateurs de puissance pulsés de Mars RF sont adaptés aux applications haute fréquence et à courant élevé. Notre amplificateur à impulsions présente un rendement élevé et une excellente linéarité. L'amplificateur de puissance radiofréquence qui le compose fonctionne généralement en classe A.
Caractéristiques principales
Amplificateur de puissance pulsé haute puissance, 1000 watts typ.
√ Haute efficacité
√ Faible distorsion
√ Amplificateur de puissance GaN
√ Protection intégrée contre la surchauffe, la surintensité et la surtension.
Pourquoi Mars RF a-t-elle adopté la technologie GaN ?
Le GaN s'impose rapidement comme le matériau semi-conducteur de prédilection pour de nombreuses applications de transistors. Il présente une mobilité électronique élevée, un gain supérieur aux hautes fréquences et une efficacité supérieure à celle de la technologie LDMOS (MOSFET à diffusion latérale) équivalente. Le GaN possède également une énergie d'activation élevée, ce qui lui confère d'excellentes propriétés thermiques et une tension de claquage nettement supérieure. Parmi les autres avantages des transistors au nitrure de gallium, on peut citer une densité de puissance plus élevée, une tension de claquage plus élevée, une conductivité thermique supérieure et une consommation d'énergie réduite. Ces atouts se traduisent par une efficacité accrue (même aux hautes fréquences), un format plus compact, une consommation d'énergie globale réduite, une fiabilité accrue et des performances optimales. L'utilisation de transistors GaN répond aux exigences RF critiques telles qu'un gain élevé, une faible consommation d'énergie, un débit élevé et des vitesses de commutation extrêmement rapides.
FAQ
1. Quelle est la capacité de production de Mars RF ?
Mars RF dispose de 10 lignes de production et d'une plateforme de test automatisée. Ces lignes de production standardisées garantissent notre efficacité et nous permettent d'atteindre une capacité de production de 2 200 unités par mois.
2. Les amplificateurs de puissance haute puissance de Mars RF prennent en charge quel type de modulation ?
Les amplificateurs haute puissance de Mars RF prennent en charge les modulations AM, FM, multitonales et impulsionnelles.