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Amplificateurs de puissance à large bande RF MM80120P50A

Numéro de modèle : MM80120P50A

L'amplificateur RF à faible bruit MM80120P50A fonctionne dans la bande des très hautes fréquences (UHF) entre 8 et 12 GHz, délivre une puissance de 100 watts et un gain de 50 dB. Son impédance d'entrée/sortie est typiquement de 50 Ω et son atténuation de retour de -10 dB. Après optimisation de la conception harmonique, le taux d'harmoniques de cet amplificateur de puissance RF UHF atteint la valeur idéale de -25 dBc.

  • Commencer 8000 MHz
  • Arrêt 12000 MHz
  • Moue 100 watts
  • Gagner 50 dB
  • Tension 28 V
  • Actuel 32 ampères
  • Mode CW
  • Taille 180 x 150 x 25 mm
  • Action 4

Présentation du produit

Bien que les amplificateurs RF à semi-conducteurs offrent de bonnes performances dans la bande de fréquences SHF, leur tension de fonctionnement minimale requise est de seulement 26 volts, inférieure à 32 volts, et leur tension typique est d'environ 28 volts. L'amplificateur de puissance à large bande 8-12 GHz est adapté à la bande X et présente d'excellentes performances dans des domaines tels que le radar et les communications par satellite.
Les transistors GaN, reconnus pour leur fiabilité, leur efficacité et leur performance, sont utilisés dans cet amplificateur de classe A. Le GaN s'impose rapidement comme le matériau semi-conducteur de prédilection pour de nombreuses applications. Il présente une mobilité électronique élevée, un gain supérieur aux hautes fréquences et un rendement plus élevé que la technologie LDMOS (MOSFET à diffusion latérale) équivalente. Les transistors GaN offrent également une densité de puissance plus élevée, une tension de claquage plus élevée, une conductivité thermique supérieure et une consommation d'énergie réduite. Ces avantages permettent d'obtenir un rendement accru (même aux hautes fréquences), des composants plus compacts, des caractéristiques système globales plus faibles, une fiabilité accrue et des performances optimales. Le GaN possède également une énergie d'activation élevée, ce qui lui confère d'excellentes performances thermiques et une tension de claquage nettement supérieure. Les transistors GaN supportent une plage de températures plus étendue que les transistors conventionnels et fonctionnent parfaitement dans des environnements difficiles, ce qui les rend idéaux pour les applications RF. La conception de l'amplificateur de puissance de classe AB est optimisée thermiquement et la cavité est en aluminium, un matériau plus durable et robuste que d'autres. L'ensemble de ces excellentes configurations d'appareils aboutit à un amplificateur de puissance à semi-conducteurs qui offre une meilleure efficacité, avec un rendement typique de 11 %.

Caractéristiques principales

√ Haut débit et haute puissance
√ Haute efficacité
√ Classe AB
√ Petite taille et poids léger
√ Faible distorsion

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