004001
English
French
English French German Portuguese Spanish Russian Japanese Korean Arabic Irish Greek Turkish Italian Danish Romanian Indonesian Czech Afrikaans Swedish Polish Basque Catalan Esperanto Hindi Lao Albanian Amharic Armenian Azerbaijani Belarusian Bengali Bosnian Bulgarian Cebuano Chichewa Corsican Croatian Dutch Estonian Filipino Finnish Frisian Galician Georgian Gujarati Haitian Hausa Hawaiian Hebrew Hmong Hungarian Icelandic Igbo Javanese Kannada Kazakh Khmer Kurdish Kyrgyz Latin Latvian Lithuanian Luxembou.. Macedonian Malagasy Malay Malayalam Maltese Maori Marathi Mongolian Burmese Nepali Norwegian Pashto Persian Punjabi Serbian Sesotho Sinhala Slovak Slovenian Somali Samoan Scots Gaelic Shona Sindhi Sundanese Swahili Tajik Tamil Telugu Thai Ukrainian Urdu Uzbek Vietnamese Welsh Xhosa Yiddish Yoruba Zulu Kinyarwanda Tatar Oriya Turkmen Uyghur
Leave Your Message
Amplificateur large bande RF Mars-MM1017P43A.png

Amplificateurs de puissance à large bande RF MM1017P43A

Numéro de modèle : MM1017P43A

L'amplificateur RF à semi-conducteurs modèle MM1017P43A est un amplificateur de puissance fonctionnant de 1 000 MHz à 1 700 MHz. Cet amplificateur haute fréquence offre une large plage dynamique et une puissance de saturation de 20 watts. L'utilisation de composants de puissance de pointe garantit une excellente puissance de sortie, une fiabilité à long terme et un rendement élevé. Ce module d'amplification RF à semi-conducteurs est parfaitement adapté aux applications nécessitant une large bande passante pour la couverture des interférences mobiles et un fonctionnement à haute puissance dans des bandes spécifiques de la gamme de fréquences L.

  • Commencer 1000 MHz
  • Arrêt 1700 MHz
  • Moue 20 watts
  • Gagner 43 dB
  • Tension 28 V
  • Actuel 4 ampères
  • Mode CW
  • Taille 140×85×20,5 mm
  • Action 23
Demander un devis FICHE DE DONNÉES
détails du produit

Présentation du produit

L'amplificateur de puissance MM1017P43A de Mars RF utilise un tube GaN de pointe, offrant un gain de 44 dB pour un poids de seulement 0,65 kg, un rapport d'ondes stationnaires de 3:1 et une excellente atténuation de -10 dB. Cet amplificateur RF à faible bruit est idéal pour les applications en bande UHF et trouve de nombreuses applications dans les réseaux sans fil, la radiodiffusion et les transmissions à distance. L'amplificateur de puissance à semi-conducteurs MM1017P43A est doté d'une cavité en aluminium, conçue grâce à une simulation thermique, au choix des matériaux et à l'optimisation des dimensions. Les traitements de surface disponibles sont les suivants : oxydation conductrice naturelle, nickelage, oxydation conductrice colorée et anodisation.
L'amplificateur de puissance à large bande MM1017P43A, utilisant des transistors GaN, offre une mobilité électronique élevée, un gain accru aux hautes fréquences et une énergie d'activation élevée, garantissant d'excellentes performances thermiques et une tension de claquage nettement supérieure. L'utilisation de transistors GaN répond aux exigences RF critiques telles qu'un gain élevé, une faible consommation d'énergie, un débit élevé et des vitesses de commutation extrêmement rapides. Le tube GaN intégré à l'amplificateur 20 W MM1017P43A bénéficie d'une protection contre les surtensions et les sous-tensions. Les transistors au nitrure de gallium supportent une plage de températures plus étendue que les transistors traditionnels et fonctionnent efficacement dans des environnements difficiles, ce qui en fait un choix idéal pour les applications RF. Grâce à leur rapidité de commutation et à leur conception compacte, légère et robuste, les transistors au nitrure de gallium ont profondément marqué l'industrie des communications. Leur fiabilité, leur efficacité et leur performance sont reconnues.

Caractéristiques principales

Conception à semi-conducteurs
√ Ultra-haut débit instantané
√ Petite taille et poids léger
√ Impédance d'entrée/sortie de 50 ohms
√ Haute fiabilité et robustesse

Leave Your Message