Amplificateur large bande RF MM00210P43A

La tension de fonctionnement minimale de cet amplificateur RF large bande de 20 W est de 24 V, la tension maximale de 32 V et la valeur typique de 28 V. Sa fréquence de démarrage est de 20 MHz et cet amplificateur de puissance à semi-conducteurs peut fonctionner jusqu'à 1000 MHz avec un gain de 43 dB et une linéarité de ± 2 dB, garantissant ainsi un fonctionnement stable même sous une puissance de sortie élevée et continue. Son impédance d'entrée/sortie est de 50 Ω, sa perte de retour d'entrée de -10 dB et son taux d'harmoniques de -10 dBc, des valeurs optimisées pour un fonctionnement idéal. Grâce à son impédance conforme aux normes industrielles, cet amplificateur RF large bande s'intègre facilement dans les systèmes d'alimentation. Il utilise des transistors LDMOS, offrant une puissance de crête instantanée élevée. Parallèlement, la courbe de gain des transistors LDMOS est relativement régulière, ce qui permet d'amplifier les signaux multiporteuses et de garantir une distorsion minimale du signal de sortie. De plus, ces transistors présentent d'excellentes caractéristiques thermiques. La cavité est fabriquée en aluminium, un matériau léger offrant un excellent rapport résistance/poids, une protection contre la rouille et la corrosion, et a subi un traitement thermique de simulation, ce qui la rend plus durable et robuste que d'autres matériaux. La ligne de production et de test automatisée de Mars RF est également utilisée pour la fabrication d'amplificateurs RF large bande de classe A, permettant une production sans intervention manuelle. Ceci permet non seulement de réduire les coûts de main-d'œuvre et les erreurs humaines, mais aussi d'améliorer considérablement l'efficacité des tests.