Transmission rapide du signal et bonne stabilité : Amplificateurs de puissance haute bande RF MM80120P47C

Le module amplificateur RF MM80120P47C est un produit micro-ondes RF multi-octave. Il offre une large bande passante (de 8 000 MHz à 12 000 MHz) et une puissance de saturation typique de 50 watts. Cet amplificateur haute puissance présente un gain de 47 dB et une stabilité de gain de ±1 dB. Les excellents résultats des tests témoignent de la grande stabilité de transmission du signal de cet amplificateur RF large bande, simplifiant ainsi la mise en service du système.

Le produit RF MM80120P47C de Mars RF est compatible avec la bande X, principalement utilisée dans les radars et les communications par satellite. En bande UHF, pour les systèmes radar, cet amplificateur de puissance large bande se distingue par sa structure compacte, son poids léger, ses hautes performances, son intégration système poussée, ses excellentes performances RF et sa faible consommation. De plus, nos modules de puissance RF sont hautement flexibles et personnalisables afin de répondre aux besoins de différents secteurs et applications, offrant ainsi aux utilisateurs des solutions fiables.

La tension de fonctionnement typique de cet amplificateur de puissance est de 28 V, et sa puissance de sortie est de 8 A CC à 40 W. Les connecteurs d'entrée et de sortie sont de type SMA femelle standard. Cet amplificateur SSPA utilise des transistors au nitrure de gallium avec des cavités internes en aluminium, ce qui garantit une meilleure performance et une plus grande stabilité.

De manière générale, le rapport VSWP des amplificateurs Mars RF est de 3, et nos produits intègrent une protection contre les surtensions. En détectant le TOS du signal de sortie de l'amplificateur, et en coupant automatiquement le signal de commande lorsque celui-ci dépasse le seuil défini, l'amplificateur est protégé des dommages causés par les surtensions, ce qui réduit les risques de dysfonctionnement du système.

√ Haut débit et haute puissance

√ Haute efficacité

√ Petite taille et poids léger

√ Faible distorsion

√ Dissipateur thermique externe en option

√ Circuits de contrôle et de protection intégrés

√ Transmission rapide du signal, bonne stabilité

Quels sont les avantages respectifs et les différences d'application entre les transistors GaN et les transistors LDMOS ?

Avec le développement des technologies de communication mobile 4G et 5G, le GaN s'est imposé dans les stations de base grâce à ses excellentes performances en haute fréquence. Cependant, en basse et moyenne fréquence, le LDMOS reste la technologie de prédilection en raison de son faible coût, de sa grande intégrabilité et de sa pré-distribution numérique (DPD) plus simple.

Compte tenu de leurs avantages respectifs, les principaux domaines d'application des transistors LDMOS et GaN diffèrent. Le GaN est principalement utilisé dans les applications haute fréquence et haute puissance, tandis que le LDMOS est surtout présent dans les applications basse et moyenne fréquence, ainsi que dans certaines applications haute fréquence et basse puissance. Toutefois, le choix entre LDMOS et GaN n'est pas définitif et évolue souvent en fonction de la stratégie du fabricant.