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Equipo de I+D

1) Equipo talentoso compuesto por más de 30 ingenieros.
2) Ingenieros jefes con más de 20 años de experiencia en el diseño de SSPA de RF/MW
3) Diseño con tecnologías de vanguardia de dispositivos GaN, GaAs, LDMOS y bipolares.
Mars RF siempre ha otorgado a la I+D una posición estratégica.
Para aplicar las últimas tecnologías a sus productos, Mars RF mantiene y actualiza anualmente todas sus instalaciones de I+D, tanto de hardware como de software. Fomentamos y apoyamos la formación continua de nuestros empleados y contamos con un plan para el desarrollo del talento. Asimismo, enviamos ingenieros a colaborar con universidades, institutos de investigación, etc., tanto nacionales como internacionales. Además, participamos cada año en diversas ferias importantes de microondas, como IMS y EuMW.
RD (1)3fi
rd-2z0e
En la fase de diseño, utilizamos numerosas herramientas CAD, como por ejemplo, software de simulación electromagnética, software de simulación térmica y software de simulación estructural.
Los combinadores de alta potencia de Mars RF alcanzan una eficiencia superior al 90 % y una potencia combinada de 2000 W. La plataforma de predistorsión digital y la tecnología de predistorsión de RF de Mars RF mejoran notablemente la calidad de la comunicación, permitiendo que los amplificadores de potencia mantengan una eficiencia superior al 35 % con características EVM inferiores al 2 % a un ancho de banda de señal de 40 MHz. La tecnología MCM y la selección de componentes GaN de alta eficiencia también han optimizado nuestra tecnología de miniaturización.