Transceiver-Modul (T/R) MMTR2931P53A

Der MMTR2931P53A arbeitet im Frequenzbereich von 2,7 bis 3,1 GHz mit einer Ausgangsleistung von bis zu 200 W und einer Übertragungsverstärkung von 53 dB. Im Vergleich zu Breitband-TRs bietet der Schmalband-TR eine höhere Verstärkung und ein geringeres Rauschmaß und eignet sich besser für Anwendungen wie Funkkommunikation und Radar. Der MMTR2931P53A ist mit unserem Galliumnitrid-HEMT (High Electron Mobility Transistor) ausgestattet, der eine höhere Durchbruchspannung, eine größere Bandbreite und einen höheren Wirkungsgrad aufweist. Er verfügt über einen Zirkulator für die Duplexfunktion und einen Begrenzer zum Schutz des Empfängers. Zusätzlich sind Timing-Schaltungen integriert. Der MMTR2931P53A wird mit der fortschrittlichen Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Mars RF gefertigt, die eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad, eine größere Bandbreite und ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht.

Galliumnitrid (GaN) entwickelt sich rasant zum bevorzugten Halbleitermaterial für viele Transistoranwendungen. GaN zeichnet sich durch hohe Elektronenbeweglichkeit, höhere Verstärkung bei höheren Frequenzen und einen höheren Wirkungsgrad als vergleichbare LDMOS-Technologie (lateral diffundierte MOSFETs) aus. Der Einsatz von GaN-Transistoren erfüllt wichtige HF-Anforderungen wie hohe Verstärkung, geringen Stromverbrauch, hohen Durchsatz und extrem schnelle Schaltzeiten. Darüber hinaus ermöglichen GaN-Transistoren zahlreichen Systemen, beispielsweise der Flugsicherung, den Betrieb im L-, S-, C-, X- und Ku-Band. Galliumnitrid-Transistoren sind in einem breiteren Temperaturbereich einsetzbar als herkömmliche Transistoren und funktionieren auch unter rauen Umgebungsbedingungen zuverlässig, wodurch sie sich ideal für HF-Anwendungen eignen.