HF-Ultrabreitband-Hochleistungs-Galliumnitridverstärker MM60180P40B

Für Anwendungen im C-, X- und Ku-Band ist der ultrabreitbandige Hochleistungs-Galliumnitrid-(GaN)-Verstärker mit einer minimalen Betriebsfrequenz von 6000 MHz und einer maximalen Betriebsfrequenz von 18000 MHz optimal geeignet. Im Sättigungsbereich weist er typischerweise eine Leistungsverstärkung von 40 dB und eine Ausgangsleistung von 10 Watt auf. Bei einer Ausgangsleistung von 5 Watt erreicht der Oberwellenanteil dieses GaN-Leistungsverstärkers -20 dBc. Dies bedeutet, dass der Verstärker unerwünschte Oberwellen effektiv unterdrückt und somit ein Ausgangssignal liefert, das überwiegend aus der gewünschten Grundfrequenz besteht und nur minimal von Oberwellen gestört wird. Die Eingangs-/Ausgangsimpedanz dieses Breitbandverstärkers beträgt 50 Ohm.

Mars RF hat ein eigenes Qualitätskontrollsystem und einen vollständigen Produktionsprozess etabliert, um die hohe Leistungsfähigkeit und lange Lebensdauer seiner Produkte zu gewährleisten. Daher bieten wir eine dreijährige Garantie mit einer kostenlosen Garantiezeit von 18 Monaten. Sollten während der Garantiezeit Probleme auftreten, die auf die Produktqualität zurückzuführen sind, bieten wir einen kostenlosen Austauschservice an.

√ Ultrabreitband

√ Klasse AB

√ GaN-Verstärker

√ Eingebaute Steuerung

√ C/X/Ku-Band

√ HF-Leistungsverstärker-Design

√ Geringes Gewicht

1. Welche Vorteile bietet GaN-Bauelemente im Leistungsverstärker?

Der Einsatz von GaN-Bauelementen (Galliumnitrid) in Leistungsverstärkern bietet mehrere Vorteile:

Hohe Leistungsdichte: Im Vergleich zu herkömmlichen Technologien wie Silizium-basierten Bauelementen weisen GaN-Bauelemente eine höhere Leistungsdichte auf. Dadurch können sie mehr Leistung in einem kleineren Gehäuse bereitstellen und eignen sich somit ideal für leistungsstarke, kompakte Anwendungen.

Hohe Effizienz: Im Vergleich zu anderen Halbleitertechnologien weisen GaN-Bauelemente in der Regel bessere Effizienzwerte auf.