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Mars HF-Impulsverstärker-MPM2731P60A.png

HF-Impuls-Hochleistungsverstärker MPM2731P60A

Modellnr.: MPM2731P60A

Der gepulste Hochleistungs-HF-Verstärker MPM2731P60A von Mars arbeitet im Frequenzbereich von 2700 MHz bis 3100 MHz mit einer Ausgangsleistung von 1000 W. Der betreffende gepulste Hochleistungs-Verstärker verwendet einen Galliumarsenid-Metall-Transistor.

  • Start 2700 MHz
  • Stoppen 3100 MHz
  • Schmollen 1000 Watt
  • Gewinnen 60 dB
  • Stromspannung 32 V
  • Modus Impuls
  • Größe 300 x 250 x 30 mm
  • Eff 25 %
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Produktdetails

Produkteinführung

Dieser gepulste Hochleistungsverstärker verstärkt Signale mit einer typischen Sättigungsausgangsleistung von bis zu 1000 W über den gesamten Betriebsfrequenzbereich von 2700 MHz bis 3100 MHz. Der Einsatz fortschrittlicher gepulster Hochleistungsbauelemente in der Fertigung gewährleistet diesem Modul außergewöhnliche Leistung, langfristige Zuverlässigkeit und hohe Effizienz. Dieser gepulste Hochleistungsverstärker eignet sich für gepulste Hochleistungsanwendungen in den Frequenzbereichen HF, MF, HF und VHF. Der gepulste Hochleistungsverstärker von Mars RF zeichnet sich durch hohe Verstärkung, große Bandbreite, geringe Verzerrung, hohe Stabilität und schnelle Ansprechzeit aus und wird hauptsächlich im Radarbereich eingesetzt. Der in diesem gepulsten Hochleistungsverstärker verwendete Galliumarsenid-Metalltransistor (GaAs) bietet Eigenschaften wie hohe Frequenzen, hohe Elektronenbeweglichkeit, hohe Ausgangsleistung, hohe Linearität und geringes Rauschen und findet breite Anwendung in der Optoelektronik und im Hochfrequenzbereich. Die gepulsten Hochleistungsverstärker von Mars RF eignen sich für Hochfrequenz- und Hochstromanwendungen und zeichnen sich durch hohe Effizienz und gute Linearität aus. Der darin enthaltene Hochfrequenz-Leistungsverstärker arbeitet oft im Klasse-A-Betrieb.

Hauptmerkmale

√ Impuls-Hochleistungsverstärker, typ. 1000 Watt
√ Hohe Effizienz
√ Geringe Verzerrung
√ GaN-Hochleistungsverstärker
√ Eingebauter Übertemperaturschutz, Überstromschutz und Überspannungsschutz.

Warum hat Mars RF die GaN-Technologie adaptiert?

Galliumnitrid (GaN) entwickelt sich rasant zum bevorzugten Halbleitermaterial für viele Transistoranwendungen. GaN zeichnet sich durch hohe Elektronenbeweglichkeit, höhere Verstärkung bei höheren Frequenzen und eine höhere Effizienz als vergleichbare LDMOS-Technologie (Laterally Diffused MOSFET) aus. Zudem besitzt GaN eine hohe Aktivierungsenergie, was zu exzellenten thermischen Eigenschaften und einer deutlich höheren Durchbruchspannung führt. Zu den Vorteilen von Galliumnitrid-Transistoren zählen außerdem eine höhere Leistungsdichte, eine höhere Durchbruchspannung, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und ein geringerer Leistungsbedarf. Diese Vorteile resultieren in einem höheren Wirkungsgrad (auch bei höheren Frequenzen), einem kleineren Baufaktor, einer geringeren Systemleistung, höherer Zuverlässigkeit und erstklassiger Performance. Der Einsatz von GaN-Transistoren erfüllt kritische HF-Anforderungen wie hohe Verstärkung, geringen Stromverbrauch, hohen Durchsatz und extrem schnelle Schaltzeiten.
HF-Breitband-Hochleistungsverstärker

Häufig gestellte Fragen

1. Wie hoch ist die Produktionskapazität von Mars RF?
Mars RF verfügt über 10 Produktionslinien und eine automatische Testplattform. Diese standardisierten Produktionslinien gewährleisten unsere Produktionseffizienz und ermöglichen eine Produktionskapazität von 2200 Stück pro Monat.
2. Welche Modulationsart unterstützen die Hochleistungsverstärker von Mars RF?
Die Hochleistungsverstärker von Mars RF unterstützen Modulationsarten wie AM, FM, Mehrton und Puls.

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