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HF-Hochleistungsverstärker-Subsystem MS2060P45A

Modellnr.: MS2060P45A

Das Hochleistungsverstärker-Subsystem MS2060P45A von Mars RF arbeitet im Frequenzbereich von 2000 bis 6000 MHz mit einer Ausgangsleistung von 35 W. Mars RF bietet ultrabreitbandige Hochleistungsverstärkersysteme in Rack-Bauweise mit einer Ausgangsleistung von 50 Watt bis 2000 Watt für vielfältige Anwendungen an.

  • Start 2000 MHz
  • Stoppen 6000 MHz
  • Schmollen 35 Watt
  • Gewinnen 45 dB
  • Stromspannung 100-260 V AC
  • Modus CW/FM/AM
  • Größe 19", 2U

Produkteinführung

Der Hochfrequenz-HF-Verstärker MS2060P45A ist ein rackmontierbares Gerät mit Universal-Netzteil und integriertem Zwangsluftkühlsystem. Dieses Hochleistungsverstärkersystem nutzt Galliumnitrid-Technologie und bietet dadurch eine hervorragende Leistungsdichte, hohe Effizienz, geringe Verzerrung und einen großen Dynamikbereich. Die Eingangsreflexionsdämpfung dieses Hochleistungsverstärkersystems beträgt typischerweise -10 dB. Für detailliertere Daten zur Rückflussdämpfung kontaktieren Sie bitte unser Team. Das System verfügt über eine robuste Struktur und integrierte Steuerungs-, Überwachungs- und Schutzschaltungen. Der Betriebstemperaturbereich des Hochleistungsverstärkersystems liegt zwischen -10 °C und -40 °C. Die Lagertemperatur kann zwischen -40 °C und 85 °C liegen. Die relative Luftfeuchtigkeit des Hochfrequenz-Leistungsverstärkersystems sollte unter 95 % liegen. Daher eignet es sich für die meisten regionalen Umgebungen. Sollten Sie weitere Anforderungen an die Parameter und Qualitätsprüfungen des Hochleistungsverstärkersystems haben, kontaktieren Sie uns bitte. Wir werden unser Bestes tun, um Ihre Wünsche zu erfüllen.
Mars RF verfügt über eine eigene Abteilung für Mikromontagetechnologie, die die gleichbleibende Qualität unserer Hochfrequenz- und Hochleistungs-Mikrowellenverstärker sicherstellt. Die Mikromontagetechnologie ist eine fortschrittliche Technologie zur elektronischen Montage, die Schlüsselprozesse wie die Substrattechnologie für hochdichte Verbindungen, die Multi-Chip-Komponententechnologie, die System-/Subsystem-Montagetechnologie und die 3D-Montagetechnologie umfassend anwendet. So werden verschiedene Mikrokomponenten (integrierte Schaltkreise und Chipbauteile) zu elektronischen Schaltungen zusammengefügt und bilden eine dreidimensionale Struktur für hochdichte, leistungsstarke, zuverlässige, mikrominiaturisierte und modulare Schaltungsprodukte. Sie ist ein wichtiger technischer Weg, um die Ziele der Miniaturisierung, des geringen Gewichts, der hochdichten 3D-Verbindungsstruktur, des breiten Betriebsfrequenzbandes, der hohen Betriebsfrequenz und der hohen Zuverlässigkeit elektronischer Geräte zu erreichen.
Um den hohen Ansprüchen gerecht zu werden, hat Mars RF ein strenges und umfassendes Produktqualitätskontrollsystem sowie ein Qualitätsmanagementsystem für den Produktionsprozess eingerichtet, um sicherzustellen, dass jedes Produkt von Mars RF eine bessere Leistung und höhere Zuverlässigkeit aufweist.

Hauptmerkmale

• GaN-Hochleistungsverstärkersystem
• Sofortiges Ultrabreitband
• Geeignet für die Modulationsarten CW, AM und FM
• Kompaktes und robustes Design
• Standardmäßige manuelle Verstärkungsregelung an der Vorderseite
• Zwangsluftkühlsystem

Häufig gestellte Fragen

1. Wo werden die Mars RF-Produkte hergestellt?
Mars RF entwickelt und fertigt seine Produkte in China. Unsere Lieferkette ist lokalisiert. Fast alle Zulieferer von Rohren und Bauteilen stammen aus China, sodass es keine durch nationale Richtlinien bedingten Lieferengpässe gibt. Dies gewährleistet die Einhaltung der üblichen Lieferzeiten unserer Produkte.
2. Welche Garantie gilt für dieses Hochleistungsverstärker-Subsystem?
Mars RF gewährt auf jedes neue Produkt eine Garantie von 3 Jahren ab Rechnungsdatum gegen Material- und Verarbeitungsfehler. Mars RF haftet nicht für Produktschäden, die durch Unfälle, unsachgemäße Verwendung oder mangelnde Sorgfalt verursacht wurden.

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