HF-Breitband-Hochleistungsverstärker MM80120P50A

Obwohl Halbleiter-HF-Verstärker im SHF-Frequenzband gute Ergebnisse liefern, beträgt die minimale Betriebsspannung lediglich 26 Volt, also unter 32 Volt, wobei die typische Spannung bei etwa 28 Volt liegt. Der 8-12G-Breitband-Leistungsverstärker eignet sich für das X-Band und bietet hervorragende Leistung in Bereichen wie Radar und Satellitenkommunikation.

GaN-Transistoren, die sich als zuverlässig, effizient und leistungsstark erwiesen haben, werden in diesem Class-A-Verstärker eingesetzt. GaN entwickelt sich rasant zum bevorzugten Halbleitermaterial für viele Transistoranwendungen. GaN zeichnet sich durch eine hohe Elektronenbeweglichkeit aus, ermöglicht höhere Verstärkung bei höheren Frequenzen und bietet im Vergleich zur LDMOS-Technologie (lateral diffundierter MOSFET) einen höheren Wirkungsgrad. Zu den Vorteilen von GaN-Transistoren zählen außerdem eine höhere Leistungsdichte, eine höhere Durchbruchspannung, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und ein geringerer Leistungsbedarf. Diese Vorteile ermöglichen einen höheren Wirkungsgrad (auch bei höheren Frequenzen), kleinere Bauformen, niedrigere Systemnennwerte, höhere Zuverlässigkeit und erstklassige Leistung. GaN besitzt zudem eine hohe Aktivierungsenergie, was zu einer exzellenten thermischen Performance und einer deutlich höheren Durchbruchspannung führt. GaN-Transistoren sind in einem breiteren Temperaturbereich einsetzbar als herkömmliche Transistoren und funktionieren auch unter rauen Umgebungsbedingungen zuverlässig. Dadurch eignen sie sich ideal für HF-Anwendungen. Das Design des Class-AB-Leistungsverstärkers ist thermisch simuliert, und der Resonator besteht aus Aluminium, das langlebiger und robuster als andere Materialien ist. Alle diese hervorragenden Gerätekonfigurationen ergeben einen Halbleiter-Leistungsverstärker mit besserer Effizienz, typischerweise mit einem Wirkungsgrad von 11%.