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Mars RF Breitbandverstärker-MM1017P43A.png

HF-Breitband-Hochleistungsverstärker MM1017P43A

Modellnr.: MM1017P43A

Der Halbleiter-HF-Verstärker Modell MM1017P43A ist ein Hochleistungsverstärker für den Frequenzbereich von 1000 MHz bis 1700 MHz. Er zeichnet sich durch einen großen Dynamikbereich und eine Sättigungsleistung von 20 Watt aus. Der Einsatz modernster Hochleistungskomponenten gewährleistet eine exzellente Ausgangsleistung, hohe Zuverlässigkeit und einen hohen Wirkungsgrad. Dieses Halbleiter-HF-Verstärkermodul eignet sich ideal für Anwendungen, die Breitband-Mobilfunkstörungen und einen Hochleistungsbetrieb in bestimmten Frequenzbändern des L-Bandes erfordern.

  • Start 1000 MHz
  • Stoppen 1700 MHz
  • Schmollen 20 Watt
  • Gewinnen 43 dB
  • Stromspannung 28 V
  • Aktuell 4 Amp
  • Modus CW
  • Größe 140 × 85 × 20,5 mm
  • Aktie 23
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Produktdetails

Produkteinführung

Der Leistungsverstärker MM1017P43A von Mars RF verwendet fortschrittliches GaN-Röhrenmaterial und erreicht eine Verstärkung von 44 dB bei einem Gewicht von nur 0,65 kg. Er zeichnet sich durch ein Stehwellenverhältnis von 3:1 und eine hervorragende Rückflussdämpfung von -10 dB aus. Der rauscharme HF-Verstärker eignet sich für Anwendungen im UHF-Band und findet breite Anwendung in drahtlosen Netzwerken, im Rundfunk und in der Fernübertragung. Der Halbleiter-Leistungsverstärker MM1017P43A verfügt über ein Aluminiumgehäuse, dessen Design durch thermische Simulation, Materialauswahl und Optimierung der Produktgröße optimiert wurde. Folgende Oberflächenbehandlungsverfahren stehen zur Auswahl: natürliche leitfähige Oxidation, Vernickelung, farbige leitfähige Oxidation und Anodisierung.
Breitband-Hochleistungsverstärker MM1017P43A mit GaN-Transistor zeichnen sich nicht nur durch hohe Elektronenbeweglichkeit und höhere Verstärkung bei höheren Frequenzen aus, sondern auch durch hohe Aktivierungsenergie. Dies führt zu exzellenter thermischer Performance und einer deutlich höheren Durchbruchspannung. Der Einsatz von GaN-Transistoren erfüllt wichtige HF-Anforderungen wie hohe Verstärkung, geringen Stromverbrauch, hohen Durchsatz und extrem schnelle Schaltzeiten. Die im 20-W-Verstärker MM1017P43A verwendete GaN-Röhre verfügt über einen Ein- und Ausschaltzeitschutz sowie einen Unterdruckschutz. Galliumnitrid-Transistoren vertragen einen größeren Temperaturbereich als herkömmliche Transistoren und funktionieren auch unter rauen Umgebungsbedingungen zuverlässig. Dadurch sind sie ideal für HF-Anwendungen geeignet. Dank ihrer schnellen Schaltfähigkeit und ihrer kompakten, leichten und robusten Bauweise haben Galliumnitrid-Transistoren die Kommunikationsindustrie maßgeblich beeinflusst. GaN-Transistoren haben sich als zuverlässig, effizient und leistungsstark erwiesen.

Hauptmerkmale

√ Festkörperdesign
√ Sofortige Ultrabreitbandverbindung
√ Kleine Größe und geringes Gewicht
√ 50 Ohm Eingangs-/Ausgangsimpedanz
√ Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit

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