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Mars RF Breitbandverstärker-MM0527P47A.png

HF-Breitbandverstärker MM0527P47A

Modellnr.: MM0527P47A

Der HF-Breitbandverstärker MM0527P47A ist mit seinen kompakten Abmessungen von 162,56 x 86,36 x 25 mm und seinem geringen Gewicht von nur 0,8 kg äußerst leicht. Dadurch eignet er sich ideal für alle Stromversorgungssysteme. Sein Arbeitsfrequenzbereich liegt zwischen 500 MHz und 2700 MHz und gehört somit zum Ultrahochfrequenzbereich. Der HF-Breitbandverstärker kann in den P-, L- und S-Bändern eingesetzt werden und findet breite Anwendung in Branchen wie dem Fernsehrundfunk, der drahtlosen Telefonie, drahtlosen Netzwerken, Radarsystemen usw.

  • Start 500 MHz
  • Stoppen 2700 MHz
  • Schmollen 50 Watt
  • Gewinnen 47 dB
  • Stromspannung 28 V
  • Aktuell 6 Amp
  • Modus CW
  • Größe 150 x 90 x 25 mm
  • Aktie
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Produktdetails

Produkteinführung

Nach strengen Tests durch Mars RF kann dieser 50-W-HF-Breitbandverstärker MM0527P47A bei niedrigen Temperaturen bis -40 °C und unter 60 °C problemlos betrieben werden. Die Lagerung ist auch bei Temperaturen zwischen -45 °C und 85 °C problemlos möglich; detaillierte Informationen dazu finden Sie im Datenblatt. Der Verstärker erreicht eine Verstärkung von 47 dB und eine stabile Ausgangsleistung von 50 Watt. Auch die Streu- und Oberwellenwerte sind mit -70 dBc (Streurauschen) und bis zu -12 dBc (Oberwellen) sehr gut. Dank der Galliumnitrid-Röhren bietet der Verstärker eine stabile Verstärkungskurve. Die typische Eingangs-/Ausgangsimpedanz beträgt 50 Ω, die typische Eingangsreflexionsdämpfung -10 dB. Im Bereich der HF-Breitbandverstärker ist die Effizienz dieses Produkts mit über 29 % Wirkungsgrad sehr beeindruckend. Dadurch kann der kontinuierliche Betrieb des Systems bei sehr geringen Verlusten maximiert werden, was Ihr Stromversorgungssystem stabiler und effizienter macht.

Hauptmerkmale

√ Breitband & Hohe Leistung
√ Hohe Effizienz
√ Große Linearität
√ Kleine Größe & geringes Gewicht
√ Geringe Verzerrung

Häufig gestellte Fragen

Welche Vorteile bietet der Einsatz von GaN-Transistoren in HF-Breitbandverstärkern?
GaN-Röhren finden in den letzten Jahren in einer Vielzahl von HF-Breitbandverstärkern Anwendung und sind neben LDMOS und GaN das am häufigsten verwendete Röhrenmaterial. Sie zeichnen sich durch hohe Leistungsdichte, hohen Wirkungsgrad, große Bandbreite, hohe Durchbruchspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeit aus. Die Details sind wie folgt:
1. Hohe Leistungsdichte: GaN-Transistoren erreichen im Vergleich zu herkömmlichen Technologien wie LDMOS oder GaAs hohe Leistungspegel bei geringerer Größe. Diese hohe Leistungsdichte ist in HF/DC-Wandlern besonders vorteilhaft, wenn Platz und Gewicht entscheidende Faktoren sind.
2. Hohe Effizienz: GaN-Transistoren weisen im Vergleich zu anderen Halbleitermaterialien wie Silizium oder GaAs eine höhere Effizienz auf. Dies führt zu einem geringeren Stromverbrauch und einer reduzierten Wärmeabgabe, was zur Gesamteffizienz von Halbleiter-Leistungsverstärkern beiträgt.
3. Große Bandbreite: GaN-Transistoren weisen im Vergleich zu anderen Technologien eine größere Frequenzbandbreite auf und eignen sich daher für Anwendungen in Klasse-A-Leistungsverstärkern. Dies ermöglicht die Entwicklung von Leistungsverstärkern, die über einen weiten Frequenzbereich ohne Leistungseinbußen arbeiten können.
4. Hohe Schaltgeschwindigkeit: GaN-Transistoren zeichnen sich durch hohe Schaltgeschwindigkeiten aus, was in Anwendungen mit kurzen Ein-/Ausschaltzeiten oder Modulationsanforderungen von Vorteil ist. Diese Eigenschaft macht GaN-Transistoren geeignet für den Betrieb von integrierten Hochfrequenz-Leistungsverstärkern.

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