Bahnbrechende Breitband-Leistungslösung: 2–6 GHz/100 W/±1,5 dB Verstärker

In den Bereichen Hochgeschwindigkeitskommunikation und Präzisionsprüfung bestimmen die Flachheit und Stabilität von Breitband-HF-Leistungsverstärkern direkt die obere Grenze der Systemleistung. Mars RF hat kürzlich einen neuen HF-Leistungsverstärker auf den Markt gebracht. MM2060P50B Das Galliumnitrid (GaN)-Leistungsverstärkermodul bietet mit seiner branchenführenden Verstärkungslinearität von ±1,5 dB eine äußerst zuverlässige Leistungslösung der 100-Watt-Klasse für Anwendungen im 2-6-GHz-Band und setzt damit neue Maßstäbe für Breitbandverstärkung.

Technologische Durchbrüche

*Extrem flache Verstärkungscharakteristik: Erreicht eine typische Leistungsverstärkungsschwankung von ±1,5 dB über das gesamte 2-6 GHz-Band und übertrifft damit herkömmliche Lösungen (typischerweise >±3 dB) deutlich.

*100W Stabile Ausgangsleistung: Basierend auf GaN-auf-SiC-Material der dritten Generation garantiert es kontinuierlich eine gesättigte Ausgangsleistung von ≥100W bei Nennbetriebstemperatur.

*Intelligente Überwachungsarchitektur: Vorwärts- und Rückwärtsstromerkennung sowie serielle RS422-Schnittstelle. Die serielle RS422-Schnittstelle umfasst: ENABLE (Ein-/Ausschaltzeit); STROMMESSUNG, TEMPERATURMESSUNG, SPANNUNGSMESSUNG, VORWÄRTSMESSUNG, RÜCKWÄRTSMESSUNG, STROMALARM, TEMPERATURALARM, SPANNUNGSALARM, VSWR-ALARM

Typische Anwendungsszenarien

- Test und Messung: 5G-Endgeräte/Basisstationstester, Vektorsignalquellen-Treiberverstärker

-Kommunikationsinfrastruktur: Mikrowellen-Backhaul-Systeme, Mehrband-Kombinations-Vorverstärker

- Verteidigungselektronik: Elektronische Störsender, Phased-Array-Radar-Sende-/Empfangsmodule

- Satellitenkommunikation: Hochlineare Leistungsverstärkerketten für L/S-Band-Bodenstationen

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Durch die Neugestaltung der Leistungsgrenzen mit GaN-Technologie und die Erfüllung von Leistungsversprechen dank präziser Konstruktion bietet der MM2060P50B eine grundlegende Verstärkungsplattform für Breitbandsysteme der nächsten Generation.