Schnelle Signalübertragung und hohe Stabilität: HF-Breitband-Hochleistungsverstärker MM80120P47C

Das HF-Verstärkermodul MM80120P47C ist ein Multi-Oktav-HF-Mikrowellenprodukt. Es verfügt über einen breiten HF-Signalbereich von 8000 MHz bis 12000 MHz und eine typische Sättigungsleistung von 50 Watt. Der Hochleistungsverstärker bietet eine Verstärkung von 47 dB und eine stabile Verstärkungslinearität von ±1 dB. Die hervorragenden Testergebnisse belegen die stabile Signalübertragung des Breitband-HF-Verstärkers und reduzieren den Aufwand für den Anwender bei der Inbetriebnahme des Gesamtsystems.

Das HF-Produkt MM80120P47C von Mars RF eignet sich für das X-Band, das hauptsächlich in Radar- und Satellitenkommunikationssystemen eingesetzt wird. Im UHF-Band, insbesondere in Radarsystemen, zeichnet sich dieser Breitband-Hochleistungsverstärker durch seine kompakte Bauweise, sein geringes Gewicht, seine hohe Leistungsfähigkeit, seine hohe Systemintegration, seine exzellente HF-Performance und seinen niedrigen Stromverbrauch aus. Darüber hinaus sind unsere HF-Leistungsmodule äußerst flexibel und individuell anpassbar, um den Anforderungen verschiedener Branchen und Anwendungen gerecht zu werden und Anwendern zuverlässige Lösungen zu bieten.

Die typische Betriebsspannung dieses Hochleistungsverstärkers beträgt 28 V, die Ausgangsleistung 8 A DC bei 40 W. Die Ein- und Ausgangsanschlüsse sind standardmäßig SMA (Buchse). Dieser SSPA-Verstärker verwendet Galliumnitrid-Transistoren mit internen Aluminiumgehäusen, was eine höhere Produktleistung und -stabilität gewährleistet.

Im Allgemeinen beträgt das VSWP-Verhältnis der Verstärker von Mars RF 3, und unsere Produkte verfügen über eine VSWP-Schutzfunktion. Durch die Überwachung des VSWR des Ausgangssignals wird bei Überschreitung des eingestellten Schwellenwerts das Steuersignal des Verstärkers automatisch abgeschaltet, um den Verstärker vor Schäden durch VSW zu schützen und das Risiko von Systemschäden zu reduzieren.

√ Breitband & Hohe Leistung

√ Hohe Effizienz

√ Kleine Größe und geringes Gewicht

√ Geringe Verzerrung

√ Optionaler externer Kühlkörper

√ Eingebaute Steuerungs- und Schutzschaltungen

√ Schnelle Signalübertragung, gute Stabilität

Was sind die jeweiligen Vorteile und Anwendungsunterschiede zwischen GaN-Transistoren und LDMOS-Transistoren?

Mit der Entwicklung der 4G- und 5G-Mobilfunktechnologien hat sich GaN aufgrund seiner hervorragenden Leistung in Hochfrequenzanwendungen in Kommunikationsbasisstationen etabliert. In Nieder- und Mittelfrequenzanwendungen ist LDMOS jedoch aufgrund seiner Vorteile wie geringe Kosten, hohe Integrationsfähigkeit und benutzerfreundlicher digitaler Vorverzerrung (DPD) weiterhin die gängigste Wahl.

Aufgrund ihrer jeweiligen Vorteile unterscheiden sich die Hauptanwendungsbereiche von LDMOS und GaN. GaN konzentriert sich hauptsächlich auf Hochfrequenz-Hochleistungsanwendungen, während LDMOS vorwiegend in Nieder- und Mittelfrequenzbereichen eingesetzt wird und auch in einigen Hochfrequenz-Niederleistungsanwendungen Verwendung findet. Die Wahl zwischen LDMOS und GaN ist jedoch nicht endgültig und hängt häufig von der Strategie des Herstellers ab.