004001
English
German
English French German Portuguese Spanish Russian Japanese Korean Arabic Irish Greek Turkish Italian Danish Romanian Indonesian Czech Afrikaans Swedish Polish Basque Catalan Esperanto Hindi Lao Albanian Amharic Armenian Azerbaijani Belarusian Bengali Bosnian Bulgarian Cebuano Chichewa Corsican Croatian Dutch Estonian Filipino Finnish Frisian Galician Georgian Gujarati Haitian Hausa Hawaiian Hebrew Hmong Hungarian Icelandic Igbo Javanese Kannada Kazakh Khmer Kurdish Kyrgyz Latin Latvian Lithuanian Luxembou.. Macedonian Malagasy Malay Malayalam Maltese Maori Marathi Mongolian Burmese Nepali Norwegian Pashto Persian Punjabi Serbian Sesotho Sinhala Slovak Slovenian Somali Samoan Scots Gaelic Shona Sindhi Sundanese Swahili Tajik Tamil Telugu Thai Ukrainian Urdu Uzbek Vietnamese Welsh Xhosa Yiddish Yoruba Zulu Kinyarwanda Tatar Oriya Turkmen Uyghur
Leave Your Message
Mars RF Amplifier.png

Bandspezifische Hochleistungsverstärker MM1517P53B

Modellnr.: MM1517P53B

Das MM1517P53B ist ein 200-W-GaN-Schmalbandverstärkermodul für den Frequenzbereich von 1500–1700 MHz. Es zeichnet sich durch hohe Leistungsdichte, exzellentes thermisches Verhalten und eine stabile Verstärkungslinearität von ±1 dB aus. Zu den Merkmalen gehören die Überwachung der Vorwärts- und Rückwärtsleistung sowie der zuverlässige Betrieb über einen weiten Temperaturbereich. Hauptanwendungsgebiete sind elektronische Kampfführung, Radar, professionelle Kommunikation (Basisstationen, Satelliten-Uplinks) und industrielle/wissenschaftliche HF-Systeme.

  • Start 1500 MHz
  • Stoppen 1700 MHz
  • Schmollen 200 Watt
  • Gewinnen 53 dB
  • Stromspannung 28 V
  • Aktuell 26 Amp
  • Modus CW
  • Größe 220 x 130 x 30 mm
Angebot anfordern DATENBLATT
Produktdetails

Produkteinführung

Das MM1517P53B ist ein neu entwickeltes, schmalbandiges Hochleistungs-Galliumnitrid-Verstärkermodul (GaN) mit 200 W Leistung im Frequenzbereich von 1500–1700 MHz, entwickelt vom Mars-Forschungs- und Entwicklungsteam. Gefertigt aus Galliumnitrid (GaN) und in Chip-Wire-Technologie, bietet dieses Modul erstklassige Leistung und ein außergewöhnliches Verhältnis von Leistung zu Volumen. GaN zeichnet sich durch hohe Elektronenbeweglichkeit aus, ermöglicht höhere Verstärkung bei höheren Frequenzen und ist effizienter als vergleichbare LDMOS-Technologie (lateral diffundierte MOSFETs). Zudem besitzt GaN eine hohe Aktivierungsenergie, was zu exzellenter Wärmeableitung und einer deutlich höheren Durchbruchspannung führt. Zu den Vorteilen von Galliumnitrid-Transistoren zählen außerdem eine höhere Leistungsdichte, eine höhere Durchbruchspannung, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und ein geringerer Leistungsbedarf. Diese Vorteile ermöglichen einen höheren Wirkungsgrad (auch bei höheren Frequenzen), kleinere Bauformen, niedrigere Systemnennwerte, höhere Zuverlässigkeit und erstklassige Leistung.
Das Schmalbandmodul MM1517P53B zeichnet sich durch eine ausgezeichnete Leistungsverstärkungslinearität von ±1dB, stabile Drei-Temperatur-Leistungskennlinien und die Fähigkeit aus, die Nennleistung (typischer Wert) bei Nenn-Hochtemperatur, Raumtemperatur und Tieftemperatur zu erreichen. Es verfügt über eine Vorwärts- und Rückwärtsleistungserkennung sowie eine integrierte Vorwärts-/Rückwärtsüberwachung, um den normalen Betrieb des Systems zu gewährleisten.

Häufig gestellte Fragen

1. Können die Produktparameter an die Bedürfnisse des Kunden angepasst werden?
Mars RF – Mehr als nur Produkte; wir liefern Versprechen. Haben Sie spezielle Anforderungen? Kontaktieren Sie uns mit den genauen Parametern – wir fertigen auch nach Kundenwunsch. Nach Rücksprache mit einem unserer Ingenieure erhalten Sie umgehend eine Antwort.
2. Benötigen alle HF-Hochleistungsverstärker Kühlkörper und Lüfter?
Alle HF-Module benötigen ausreichend Kühlkörper. Je nach Modul können auch Lüfter erforderlich sein. Mars RF bietet Kühlkörper an. Bei Bedarf wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb.

Leave Your Message